8900 ICP-MS/MS

Agilent 8900 ICP-MS/MS
感應耦合電漿串聯質譜儀  


MS/MS 在反應氣模式的優勢

  

Agilent 8900全新分析功能

Si和S的超痕量分析
Agilent 8900 ICP-MS/MS高級應用配置和半導體配置採用的新型氣體流量系統可最大限度減小Si和S污染，從而實現了對矽和硫的背景控制。下列標準曲線表明使用Agilent 8900 ICP-MS/MS 在 MS/MS 模式下以 O2 作為池氣體可獲得小於10 ng/L 的 Si（上圖）和 S（下圖）檢測限 (DL)。

  

分離同質異位素重疊

ICP-MS/MS可使用 MS/MS模式直接分離重疊的同質異位素。同質異位元素是質量數相同的不同元素的同位素，例如 204Hg和204Pb。分離此類同質異位元素所需要的品質解析度(M/DM)遠超出商品化HR-ICP-MS的性能。使用ICP-MS/MS和反應池氣體可以分離同質異位素。以下譜圖顯示了使用Agilent 8900 ICP-MS/MS測得的以Hf(NH2)(NH3)4+產物離子形式存在的Hf。MS/MS能夠在Lu、Yb及可能在m/z 176 處發生重疊的其他基質元素存在時準確測量176/177Hf 同位素比。


  

使用 MS/MS 模式準確分析硫和硫同位素比

使用O2作為反應氣體可將S以產物離子SO+在m/z 48（針對 32S主同位素）、49和50處進行測量。測量多種同位素時可使用同位素稀釋法(ID)進行S同位素比分析和準確定量分析。具備MS/MS功能的Agilent 8900 ICP-MS/MS對此應用非常重要，因為碳、鈣和鈦會對產物離子SO+產生干擾，如下圖所示。


  

使用單顆粒 ICP-MS (spICP-MS)表徵納米顆粒 (NP)

Agilent 8900 ICP-MS/MS支持最小駐留時間為0.1 ms的快速時間分辨分析 (TRA)。高速與高效干擾去除相結合，將現有ICP-MS NP分析範圍擴展至包括含有Si、S、Fe 和 Ti 等元素的顆粒。以下示例表明50 nm SiO2 NP可輕鬆與空白去離子水的信號加以區分 (A)，從而能夠繪製頻率分佈 (B) 並對粒徑進行準確測量 (C)。


  

擴展您的納米顆粒 (NP) 或單細胞分析

用於納米顆粒和單細胞分析的預設方法

ICP-MS MassHunter的可選單納米顆粒應用模組提供的預設方法，包含單顆粒分析 (spICP-MS) 和使用場流 (FFF-ICP-MS) 進行納米顆粒分析。
spICP-MS方法嚮導使用預定義和用戶輸入的值計算重要方法變數。通過對特定spICP-MS參比樣品的分析，自動進行粒徑和數量的校準。該方法包括用於計算霧化效率的集成工具。需要此值來計算顆粒數並將測量的信號轉換為粒徑。


  

集成式 NP 資料分析

可選的單納米顆粒應用模組為處理NP或單細胞信號提供了全面資料分析工具。
計算包括峰積分模式（其中使用較短的積分時間並在每個顆粒信號“羽流”中進行多次測量）和單掃描模式（其中積分時間長於顆粒信號的持續時間）。
專利演算法確保小顆粒可從背景信號中實現可靠的分辨。通過自動執行背景等效粒徑計算，能夠對方法中的最小檢測粒徑進行估算。模組包括快速多元素NP分析模式，能夠通過一次樣品採集測定納米顆粒群中的多種分析物。


 

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